孙伟锋教授团队受邀参加国际宽禁带半导体顶级会议ICSCRM2019并做报告

发布者:杨婷婷发布时间:2019-10-09浏览次数:70

碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体因高临界击穿电场、高导热率、高电子迁移率等优点,已成为第三代功率半导体的理想材料。宽禁带半导体领域国际会议“International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019”(ICSCRM2019)于929日至104日在日本京都举行,app孙伟锋教授团队的刘斯扬副教授、魏家行博士后、李胜博士参会并展示研究成果。

 李胜博士展示的论文《Electrical Parameters Degradationsof P-GaN HEMTsunder Repetitive UIS Stress》是大会仅有的4Invitedposter之一,也是唯一来自中国地区的邀请报告;魏家行博士后展示的论文《Investigationsonthe Resistance Reduction Effect for Double Trench SiC MOSFETs under Repetitive Avalanche Stress是大会仅有的3篇来自中国地区Oral报告之一。上述研究成果受到国内外学者高度评价。

    据悉,ICSCRM国际会议始于1987年,每两年举办一次,分别在美国、欧洲、日本三地区轮流举行。本次会议吸引了来自美国麻省理工app、英国牛津大学、德国Infineon、美国Cree、日本Rohm等国际知名高校和知名厂商的学者及工程师参会,今年注册参会人数达1200人。


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